ISC019N08NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC019N08NM7ATMA
ISC019N08NM7ATMA1

製造商:

說明:
MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$30.50 HK$30.50
HK$19.97 HK$199.70
HK$13.97 HK$1,397.00
HK$12.74 HK$6,370.00
完整捲(訂購多個5000)
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10,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
209 A
1.9 mOhms
20 V
3.2 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 7.5 ns
互導 - 最小值: 70 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.3 ns
系列: OptiMOS 7
原廠包裝數量: 5000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 28 ns
標準開啟延遲時間: 11 ns
零件號別名: ISC019N08NM7 SP006166279
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
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所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOMoss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.