IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-ZA65R018CFD7XKSA
IPZA65R018CFD7XKSA1

製造商：

說明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$138.18 HK$138.18
HK$88.37 HK$883.70

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
106 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
234 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
品牌: Infineon Technologies
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: DE
產品類型: MOSFETs
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
零件號別名: IPZA65R018CFD7 SP005413354
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所選屬性: 0

規格書

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

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