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IPT60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPT60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPT60R180CM8XTMA
Price: 21.87 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-IPT60R180CM8XTMA

製造商編號：

IPT60R180CM8XTMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

IPT60R180CM8XTMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$21.87	HK$21.87
	HK$13.07	HK$130.70
	HK$9.45	HK$945.00
	HK$7.83	HK$3,915.00
	HK$7.37	HK$7,370.00
完整捲（訂購多個2000）
	HK$6.87	HK$13,740.00
	HK$6.40	HK$25,600.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	HSOF-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	18 A
Rds On - 漏-源電阻:	180 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.7 V
Qg - 閘極充電:	17 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	119 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	CoolMOS
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	12.8 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	6 ns
系列:	600V CM8
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	88.4 ns
標準開啟延遲時間:	17.2 ns
零件號別名:	IPT60R180CM8 SP005578053

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規格書

IPT60R180CM8XTMA1 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

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