似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

IPBE65R230CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R230CFD7AA
Price: 30.74 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-IPBE65R230CFD7AA

製造商編號：

IPBE65R230CFD7AATMA1

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

規格書:

IPBE65R230CFD7AATMA1 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Infineon Technologies IPBE65R230CFD7AATMA1的資訊

庫存量: 884

庫存：: 884 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個1000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$30.74	HK$30.74
	HK$20.14	HK$201.40
	HK$14.14	HK$1,414.00
	HK$12.49	HK$6,245.00
完整捲（訂購多個1000）
	HK$11.67	HK$11,670.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7-11
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	11 A
Rds On - 漏-源電阻:	439 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	23 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	63 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	CoolMOS
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	3 ns
系列:	CoolMOS CFD7A
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	56 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns
零件號別名:	IPBE65R230CFD7A SP005344079

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IPBE65R230CFD7AATMA1 規格書 (PDF)

Models

IPBE65R230CFD7AATMA1

Product Catalogs

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

CoolMOS™ 功率電晶體

Infineon CoolMOS™ 功率電晶體採用面向高壓功率MOSFET的革命性CoolMOS™技術，該技術根據超結原理(SJ)設計，並由Infineon Technologies率先應用。CoolMOS™ C6和E6系列功率電晶體融合了一流SJ MOSFET供應商的實踐經驗，並兼具高度的創新性。它不僅可以提供快速開關SJ MOSFET的所有優勢，同時在易用性上也沒有絲毫的犧牲。極低的開關和傳導損耗使開關應用更加高效、精簡和輕量，散熱效果也更佳。
瞭解詳細資訊

Infineon Technologies擴展了採用CoolMOS™技術的CoolMOS®功率電晶體產品，該技術根據超結原理設計，適用於高壓功率MOSFET。這些CoolMOS®功率電晶體具備快速開關SJ MOSFET的所有優勢，同時提供堅固的超高速體二極管。Infineon Technologies CoolMOS® 功率電晶體尤其適用於PC Silverbox、LCD TV、照明、伺服器和電信等應用的諧振開關PWM階段。
檢視整個CoolMOS系列