IMZA65R050M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R050M2HXKS
IMZA65R050M2HXKSA1

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$67.24 HK$67.24
HK$39.29 HK$392.90
HK$34.61 HK$3,461.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
62 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
153 W
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 4.4 ns
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 7.6 ns
系列: 650V G2
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 13.5 ns
標準開啟延遲時間: 8.1 ns
零件號別名: IMZA65R050M2H
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET可在所有常見功率變換應用(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中達到最高品質標準的同時,實現優異的SiC性能水準。SiC MOSFET可為光電變換器、儲能系統、電動車充電、電源供應器和馬達驅動器提供比Si替代品更高的性能。英飛凌CoolSiC G2 MOSFET進一步推進了獨特的XT互連技術 (例如TO-263-7和TO-247-4分立式外殼),克服了在保持散熱能力的同時提高半導體晶片性能的共同挑戰。G2的散熱能力提高了12%,將晶片的性能提升至SiC性能的強勁水平。

CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。