IMT44R011M2HXTMA2

Infineon Technologies
726-IMT44R011M2HXTMA
IMT44R011M2HXTMA2

製造商:

說明:
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 1,370

庫存:
1,370 可立即送貨
工廠前置作業時間:
8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$135.38 HK$135.38
HK$95.68 HK$956.80
HK$85.32 HK$8,532.00
HK$85.24 HK$85,240.00
完整捲(訂購多個2000)
HK$79.65 HK$159,300.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
SiC
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
440 V
144 A
14.4 mOhms
- 7 V, 23 V
4.5 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
CoolSiC
Reel
Cut Tape
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: MY
擴散國: AT
原產國: AT
下降時間: 9.3 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 18.3 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 29.8 ns
標準開啟延遲時間: 15.8 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 440V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to bridge the gap between 200V Si trench MOSFETs and 600V Si Super junction (SJ) MOSFETs. These MOSFETs deliver outstanding power density and system efficiency in 2 and 3-level using hard and soft-switching topologies. The CoolSiC™ MOSFETs feature 440V blocking voltage, 4.5V gate threshold voltage, and low RDS(ON) temperature dependency. These MOSFETs combine high robustness with ultra-low switching losses and on-state resistance. Typical applications include power Artificial Intelligence (AI), high-power SMPS for server, datacenter, and telecom rectifiers.