IMLT65R026M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMLT65R026M2HXTM
IMLT65R026M2HXTMA1

製造商:

說明:
碳化矽MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
ECAD模型:
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庫存量: 473

庫存:
473
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在途量:
1,800
工廠前置作業時間:
52
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$91.49 HK$91.49
HK$63.38 HK$633.80
HK$53.27 HK$5,327.00
HK$51.29 HK$51,290.00
完整捲(訂購多個1800)
HK$51.21 HK$92,178.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
82 A
33 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
365 W
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: MY
擴散國: AT
原產國: AT
下降時間: 5.1 ns
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 10.1 ns
系列: 650V G2
原廠包裝數量: 1800
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 16 ns
標準開啟延遲時間: 9.3 ns
零件號別名: IMLT65R026M2H SP005969467
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC ™ 650V G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ 650V G2碳化矽MOSFET利用碳化矽的性能優勢,通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率,這為光伏、儲能、直流電動車充電、馬達驅動和工業電源等各種功率半導體應用提供了優勢。配備CoolSiC G2的電動車直流快速充電站,可比前一代產品減少10%的功率損耗,同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電容量。