FS50R12N2T7B15BPSA2

Name: Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS50R12N2T7B15B2
Price: 515.39 HKD
Availability: InStock

Mouser 編號：

726-FS50R12N2T7B15B2

製造商編號：

FS50R12N2T7B15BPSA2

製造商：

Infineon Technologies

說明：

IGBT 模組 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

規格書:

FS50R12N2T7B15BPSA2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$515.39	HK$515.39
	HK$467.47	HK$4,674.70
	HK$442.07	HK$46,417.35

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	IGBT 模組
產品:	IGBT Silicon Modules
配置:	6-Pack
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓:	1.5 V
連續集電極電流在25 C:	50 A
柵射極漏電電流:	100 nA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	AT
產品類型:	IGBT Modules
原廠包裝數量:	15
子類別:	IGBTs
技術:	Si
零件號別名:	FS50R12N2T7_B15 SP005612508

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所選屬性: 0

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規格書

FS50R12N2T7B15BPSA2 規格書 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V Sixpack IGBT Modules

Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules are EasyPACK™ 1B sixpack IGBT modules with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, and NTC technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules.