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BSZ018NE2LSIXT

Name: Infineon BSZ018NE2LSIXT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ018NE2LSIATMA
Price: 5.92 HKD
Availability: Discontinued

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-BSZ018NE2LSIATMA

製造商編號：

BSZ018NE2LSIXT

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

BSZ018NE2LSIXT 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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供貨情況

庫存：: 暫無庫存

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工廠前置作業時間：: 20 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 5000 多個： 5000

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個5000）
	HK$5.92	HK$29,600.00

備用包裝

製造商元件編號:

BSZ018NE2LSI

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$18.17

最小值:

相似產品

製造商：

Infineon Technologies

製造商編號：

BSZ018NE2LSI

說明：

MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

壽命週期:

壽命結束: 計劃停產且製造商將停止供貨。

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSDSON-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	25 V
Id - C連續漏極電流:	153 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	39 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	69 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	OptiMOS
封裝:	Reel
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
下降時間:	3.4 ns
互導 - 最小值:	70 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4.4 ns
原廠包裝數量:	5000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	26 ns
標準開啟延遲時間:	5.5 ns
零件號別名:	SP000906032 BSZ018NE2LSIATMA1
每件重量:	38.760 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BSZ018NE2LSIXT 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.