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BSS169H6327XT

Name: Infineon BSS169H6327XT
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS169H6327XTSA1
Price: 5.01 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

726-BSS169H6327XTSA1

製造商編號：

BSS169H6327XT

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET N-Ch 100V 90mA SOT-23-3

規格書:

BSS169H6327XT 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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HK$-.--

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HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$5.01	HK$5.01
	HK$3.07	HK$30.70
	HK$2.01	HK$201.00
	HK$1.49	HK$745.00
	HK$1.29	HK$1,290.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.10	HK$3,300.00
	HK$1.00	HK$6,000.00
	HK$0.921	HK$8,289.00
	HK$0.888	HK$21,312.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

BSS169 H6327

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$5.01

最小值:

製造商元件編號:

BSS169H6327XTSA1

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$4.77

最小值:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-23-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	170 mA
Rds On - 漏-源電阻:	2.9 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.9 V
Qg - 閘極充電:	2.1 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	360 mW
通道模式:	Depletion
資格:	AEC-Q100
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	27 ns
互導 - 最小值:	0.2 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	2.7 ns
系列:	BSS169
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	11 ns
標準開啟延遲時間:	2.9 ns
零件號別名:	H6327 BSS169 SP000702572 BSS169H6327XTSA1
每件重量:	34 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

BSS169H6327XT 規格書 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.