IXTP120N20X4

IXYS
747-IXTP120N20X4
IXTP120N20X4

製造商:

說明:
MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET

ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
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估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$59.68 HK$59.68
HK$41.59 HK$415.90
HK$39.62 HK$3,962.00
HK$36.66 HK$18,330.00
HK$35.26 HK$35,260.00
10,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
200 V
120 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
417 W
Enhancement
Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 12 ns
互導 - 最小值: 72 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 24 ns
系列: IXTx120N20X4
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 100 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs

IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs are avalanche-rated, N-channel enhancement-mode MOSFETs with a 200V drain-source breakdown voltage. The IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs come in a TO-220 (IXTP) or TO-263 (IXTA) package and offer 86A or 94A continuous drain current.