GS8160E18DGT-250IV

Name: GSI Technology GS8160E18DGT-250IV
Brand: GSI Technology
SKU: 464-8160E18DGT250IV
Price: 424.89 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

464-8160E18DGT250IV

製造商編號：

GS8160E18DGT-250IV

製造商：

GSI Technology

說明：

SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M

規格書:

GS8160E18DGT-250IV 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$424.89	HK$424.89
	HK$392.75	HK$3,927.50
	HK$380.01	HK$6,840.18
	HK$361.68	HK$19,530.72
	HK$352.14	HK$38,031.12
	HK$342.53	HK$86,317.56
504	報價

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	GSI Technology
產品類型:	SRAM
RoHS:
存儲容量:	18 Mbit
組織:	1 M x 18
存取時間:	5.5 ns
最高時鐘頻率:	250 MHz
接口類型:	Parallel
電源電壓 - 最大值:	2.7 V
電源電壓 - 最小值:	1.7 V
電源電流 - 最大值:	225 mA, 245 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 100 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TQFP-100
封裝:	Tray
品牌:	GSI Technology
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	Not Available
存儲類型:	SDR
濕度敏感:	Yes
產品類型:	SRAM
系列:	GS8160E18DGT
原廠包裝數量:	18
子類別:	Memory & Data Storage
公司名稱:	SyncBurst
類型:	DCD Synchronous Burst

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GS8160E18DGT-250IV 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.