EPC2012C

EPC
65-EPC2012C
EPC2012C

製造商:

說明:
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9

壽命週期:
Mouser新產品
ECAD模型:
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預期20/4/2026
工廠前置作業時間:
18
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$30.50 HK$30.50
HK$20.06 HK$200.60
HK$14.06 HK$1,406.00
HK$12.33 HK$6,165.00
HK$11.84 HK$11,840.00
完整捲(訂購多個2500)
HK$10.03 HK$25,075.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
EPC
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-4
N-Channel
1 Channel
200 V
5 A
100 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
品牌: EPC
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: Not Available
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: Power Transistor
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 2.800 mg
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所選屬性: 0

USHTS:
8541290040