HMC1114PM5E Analog Devices

說明：

RF放大器 GaN Driver Ampllifier

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Mouser目前不在您的地區出售本產品。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Analog Devices Inc.
產品類型:	RF放大器
付運限制：	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:
操作頻率:	2.7 GHz to 3.8 GHz
工作電源電壓:	28 V
運作供電電流:	150 mA
增益:	35 dB
類型:	Power Amplifiers
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	LFCSP-32
技術:	GaN
P1dB - 壓縮點:	41.5 dBm
OIP3 - 三階交調:	44 dBm
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
系列:	HMC1114
封裝:	Cut Tape
品牌:	Analog Devices
輸入返回損耗:	25 dB
濕度敏感:	Yes
通道數:	1 Channel
Pd - 功率消耗 :	24 W
產品類型:	RF Amplifier
原廠包裝數量:	500
子類別:	Wireless & RF Integrated Circuits
試驗頻率:	2.7 GHz to 3.2 GHz

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

HMC1114PM5E 規格書 (PDF)

PCN

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

HMC1114 Power Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC1114 Power Amplifiers are designed as gallium nitride (GaN) broadband amplifiers. The HMC1114 amplifiers deliver 10W with greater than 50% power added efficiency (PAE) and ±0.5dB typical gain flatness across a 2.7GHz to 3.8GHz bandwidth. The amplifiers can achieve a 41.5dBm P_SAT from a 28V at 150mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a typical 35dB signal gain, 25.5dB high-power gain for saturated output power, and a typical 44dBM IP3. Analog Devices Inc. HMC1114 power amplifiers are ideal for pulsed and continuous wave applications. These applications include wireless infrastructure, radars, public mobile radios, and general-purpose amplification.

射頻與微波解決方案

Analog Devices提供覆蓋整個高速與射頻訊號鏈的元件。這些產品可幫助設計工程人員開發平臺電子測試和測量系統。這些系統性能一流，測試與擁有成本低，頻率範圍更大，覆蓋DC到100GHz及以上頻段。Analog Devices作為卓越的資料轉換器、射頻和微波IC供應商，提供2，000多種高性能產品，涵蓋整個頻譜。