AS4C64M4SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C64M4SA7TCN
AS4C64M4SA-7TCN

製造商：

說明：
DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 99

庫存：
99 可立即送貨
工廠前置作業時間：
20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$35.35 HK$35.35
HK$32.96 HK$329.60
HK$31.98 HK$799.50
HK$31.24 HK$1,562.00
HK$30.41 HK$3,284.28
HK$29.18 HK$6,302.88
HK$28.69 HK$15,492.60
HK$27.95 HK$30,186.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
4 bit
143 MHz
TSOP-II-54
64 M x 4
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C64M4SA
Tray
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 108
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 55 mA
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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