AS4C4M16D1A-5TCNTR

Alliance Memory
913-4C4M16D1A-5TCNTR
AS4C4M16D1A-5TCNTR

製造商：

說明：
DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A), T&R

規格書:
ECAD模型:
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供貨情況

庫存：
暫無庫存
工廠前置作業時間：
20 週 工廠預計生產時間。
最少： 1000   多個： 1000
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
完整捲（訂購多個1000）
HK$20.80 HK$20,800.00
HK$20.30 HK$40,600.00

備用包裝

製造商 元件編號:
AS4C4M16D1A-5TCN
包裝:
Tray
供貨情況:
庫存量
價格:
HK$32.47
最小值:
1

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
64 Mbit
16 bit
200 MHz
TSOP-II-66
4 M x 16
700 ps
2.3 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
AS4C4M16D1A
Reel
品牌: Alliance Memory
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: TW
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 1000
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 60 mA
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
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所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

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