AS4C128M8D3LC-12BIN

Alliance Memory
913-4C128M8D3LC12BIN
AS4C128M8D3LC-12BIN

製造商：

說明：
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (C-die), Industrial Temp - Tray

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 376

庫存：
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8 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
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最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$71.10 HK$71.10
HK$66.09 HK$660.90
HK$64.12 HK$1,603.00
HK$62.55 HK$3,127.50
HK$61.07 HK$6,107.00
HK$57.13 HK$11,997.30
2,520 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Alliance Memory
產品類型: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
品牌: Alliance Memory
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 210
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 72 mA
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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