4 Gbit 嵌入式解決方案

嵌入式解決方案的類型

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選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500

ISSI NAND快閃 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI NAND快閃 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI NAND快閃 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

ISSI NAND快閃 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500


ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 4,000
倍數: 4,000
: 4,000

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 136
倍數: 136

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500