A5Gx Airfast RF功率GaN晶體管

NXP Semiconductors  A5Gx Airfast RF功率GaN晶體管是一款85W和112W非對稱Doherty RF功率GaN晶體管。NXP Semiconductors  A5Gx晶體管非常適合需要寬頻寬的蜂窩基站。元件的性能在每個部件指定的頻率範圍內得到保證,但不會超出該範圍。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 Vds - 漏-源擊穿電壓 最低工作溫度 最高工作溫度

NXP Semiconductors 氮化鎵場效應管 Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V 90庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors 氮化鎵場效應管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V 158庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors 氮化鎵場效應管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V 45庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250



NXP Semiconductors 氮化鎵場效應管 Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V 25庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors 氮化鎵場效應管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V 48庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors 氮化鎵場效應管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V 22庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C